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曙光通訊集團按照規劃將按照td-da、-da、da2000等三大3g標準，生產擁有自主知識產權的的3g手機，向全球不同地區出售三種技術標準的曙光牌3g手機。
諾基亞、愛立信、摩托羅拉、ne、鬆下和三星等全球主流手機生產廠家也是采用這種模式。
第一代擁有三大3g標準的曙光牌3g手機命名曙光3（t3），第二代3g手機命名為曙光4（t4），第三代3g手機命名曙光4（t4），每代生產藍色、綠色、粉紅色、黑色和白色等五種顏色，供不同性彆和年齡的消費者選購，全球統一零售價格4999元或625美元，享受五星客戶服務。
喬卜斯如今還在為蘋果電腦進軍美國電腦銷量前5位而努力，蘋果公司沒有進軍手機產業的規劃，1999年年報顯示，總收入60億美元，淨利潤601億美元，每股收益157美元。
隨著納斯達克網絡科技泡沫破裂，蘋果公司未能幸免，股價從3月最高2604美元，跌到最低18美元，市值從最高100億美元跌到69億美元。
蘋果公司去年中期分紅，實行了1拆3的分紅方案，總股本從萬多股，變成了萬多股；木蘭投資公司持有的500萬股，變成了1500萬股。
蘋果公司2000年第一季度財報顯示，ati持有3456萬股蘋果股票，占股還是9%，第二大股東；馬庫拉持有40704萬股，持股比例從114%降到106%，在高位套現了307萬股，還是第一大股東。
在孫健的暗示下，向冬萍在12月30日，將木蘭投資公司持有的1500萬股蘋果股票，在25美元全部賣出，獲利378億美元（成本價235美元），這筆投資收益占到木蘭投資公司總資產（622億美元）的近61%。
等這輪納斯達克網絡科技股泡沫破裂結束，孫健會建議向冬萍她們購買蘋果公司的股票。
蘋果公司隻是孫健手裡的一個備胎，也是一個投資品種，對成為蘋果公司第一大股東沒有興趣。
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「孫總，我們拿到了商務部同意出口的批文。」
5月22日上午，在pga半導體公司總經理李昌傑和布羅迪陪同下，考察還在建設中的一條500n製程工藝生產線的孫健，接到餘建國從美國打過來的電話。
去年9月，be生產的第一條具有自主知識產權的8英寸晶圓、
500n製程工藝的半導體生產線在pga半導體公司開工建設。
餘建國昨天接到美國商務部的電話，同艾德裡安一起乘飛機前往華盛頓，已經提前告訴了孫健。
孫健不在美國，書麵授權餘建國作為ga董事長和法人的全權代表。
「餘總辛苦了，我明天帶李昌傑和布羅迪過來，同ga簽訂正式購買協定。」
「好的，孫總！」
peng和ga董事會3月都已同意，pga半導體公司投資20億美元（包括基建費用）規劃建設一條180n製程工藝的半導體生產線；4月初，投資16億美元從ga購買一條180n製程工藝的半導體生產線的申請已經交給美國商務部，快3個月了，今天才拿到準許出口的批文。
不是美國商務部官員辦事拖拉，而是對出口一條180n製程工藝的半導體生產線給pga有些分歧。
自從ga和尼康公司研發的90n製程工藝的光刻機先後量產，財大氣粗的inte、ib、ti、ad和hp近水樓台先得月，先後定購了一條價值25
億美元（包括基建費用）的90n製程工藝的半導體生產線。
一條180n製程工藝的半導體生產線從22億美元（包括基建費用）降到20億美元，be如今也能量產250n製程工藝的光刻機，孫健將40台（價值4億美元）250n製程工藝光刻機的生產訂單交給be。
這條180n製程工藝的半導體生產線規劃安裝20台ga生產的180n製程工藝的光刻機和be生產的40台250n製程工藝的光刻機，既能節約成本，光刻效果也不受影響。
be和ga都是孫健控股的公司，作為兩家公司的法人兼董事長，手掌手背都是肉。
去年11月15日，中美兩國簽訂了中國加入世貿組織的雙邊協定，中國去年的gdp達到119萬億美元，隻占美國gdp的121%、日本的249%，按照全球經濟總量的排名來看，中國位居全球第七，排在意大利之後。
美國的頭號對手還是全球經濟老二的日本，繼續打壓日本的半導體產業。
雖然鯤鵬軟件集團在全球軟件市場占據20%的市場份額，但還沒有對美國軟件產業造成實際性的威脅，美國商務部也不容許微軟公司壟斷美國軟件市場。
美國曙光投資公司（ati）控股的ga成了同尼康半導體公司並駕齊驅的光刻機龍頭企業，研發的90n製程工藝光刻機已經量產，但在65n製程工藝上都遇到了無法克服的困難。
尼康光刻機研究院和ga光刻機研究院采用arf193n光源，研發一年多，毫無進展。
業界普遍認為193n光刻無法延伸到65n製程工藝，而157n將成為主流光源技術，但157n光刻技術同樣遭遇到了來自光刻機透鏡的巨大挑戰。
業界對下一代光刻機的發展提出了兩種路線，一是以尼康和佳能等日本光刻機半導體企業，主張開發波長更低的157n的f2準分子激光做為光源；二是ga和英特爾發起建立了euv聯盟，采用極紫外光源(euv)來提供波長更短的光源。
euv聯盟中除了ga、英特爾和牽頭的美國能源部以外，還有摩托羅拉、ad、ib，以及能源部下屬三大國家實驗室勞倫斯利弗莫爾國家實驗室、桑迪亞國家實驗室和勞倫斯伯克利實驗室。
ga光刻機半導體研究院院長兼任光刻機光源研究所所長湯普森院士從1993年7月開始研發euv，ga前後投資了15億美元，也沒有取得成功，1997年7月自動放棄了研究。
1997年10月，湯普森院士出麵邀請英特爾和美國能源部共同開發euv。
前世，英特爾邀請尼康和a加入euv聯盟，但美國政府反對尼康加入，a做出多重承諾後才得到這個千載難遇的機會，資金到位，技術入場，人才雲集，euv聯盟也花了近20年的時間，第一台可量產的aeuv樣機才正式發布。
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